A mikro-Raman-spektroszkópia (μRS), a konvergens sugaras elektrondiffrakció (CBED) és az elektron diffrakciós kontrasztképalkotás (EDCI) lehetőségeit és korlátait a félvezető szubsztrátokban lévő lokális feszültségmezők vizsgálatára tárgyaljuk és szilíciumban lévő helyi izolációs struktúrákon kapott eredményekkel illusztráljuk. A μRS előnye, hogy roncsolásmentes, de térbeli felbontása a lézer hullámhossza által korlátozott, és jellemzően 1 μm nagyságrendű. További hátránya, hogy a szilíciumszubsztrátumban lévő feszültségek csak az átlátszó rétegeken keresztül mérhetők, és hogy a rögzített Raman-eltolódás a különböző feszültségkomponensekből eredő eltolódások konvolúciója. A két transzmissziós elektronmikroszkópiás technika sokkal nagyobb térbeli felbontással rendelkezik (nm-es skálán), de hátrányuk, hogy roncsoló hatásúak és bonyolult mintaelőkészítést igényelnek. Továbbá a TEM-vizsgálatra alkalmas vékony fóliák előkészítése a képsíkra merőleges irányú feszültségek relaxációjához vezet, amit az eredmények értelmezésénél figyelembe kell venni. Mindazonáltal e három technika együttes alkalmazásából hasznos, egymást kiegészítő információk nyerhetők a feszültségeloszlásról. Ez érdekes távlatokat nyit a mikroelektronikai eszközök helyi feszültség és elektromos tulajdonságai közötti korreláció terén.