Die Möglichkeiten und Grenzen der Mikro-Raman-Spektroskopie (μRS), der konvergenten Strahlelektronenbeugung (CBED) und der Elektronenbeugungs-Kontrastdarstellung (EDCI) für die Untersuchung lokaler Spannungsfelder in Halbleitersubstraten werden erörtert und anhand von Ergebnissen zu lokalen Isolationsstrukturen in Silizium illustriert. Die μRS hat den Vorteil, dass sie zerstörungsfrei ist, aber eine räumliche Auflösung hat, die durch die Wellenlänge des Lasers begrenzt ist und typischerweise in der Größenordnung von 1 μm liegt. Weitere Nachteile sind, dass Spannungen im Siliziumsubstrat nur durch transparente Schichten hindurch gemessen werden können und dass die aufgezeichnete Raman-Verschiebung eine Faltung von Verschiebungen aufgrund verschiedener Spannungskomponenten ist. Die beiden Verfahren der Transmissionselektronenmikroskopie haben eine viel höhere räumliche Auflösung (im nm-Bereich), haben aber den Nachteil, dass sie zerstörerisch sind und eine aufwändige Probenvorbereitung erfordern. Außerdem führt die Präparation der für die TEM-Prüfung geeigneten dünnen Folien zu einer Relaxation der Dehnungen in der Richtung senkrecht zur Bildebene, was bei der Interpretation der Ergebnisse berücksichtigt werden muss. Dennoch lassen sich aus der kombinierten Anwendung dieser drei Techniken nützliche, sich ergänzende Informationen über die Dehnungsverteilung ableiten. Dies eröffnet interessante Perspektiven für die Korrelation zwischen der lokalen Spannung und den elektrischen Eigenschaften mikroelektronischer Bauteile.