Se discuten las posibilidades y limitaciones de la espectroscopia micro Raman (μRS), la difracción de electrones de haz convergente (CBED) y la imagen de contraste de difracción de electrones (EDCI) para el estudio de los campos de tensión localizados en los sustratos semiconductores y se ilustran con los resultados obtenidos en las estructuras de aislamiento local en el silicio. La μRS tiene la ventaja de ser no destructiva pero tiene una resolución espacial que está limitada por la longitud de onda del láser y que suele ser del orden de 1 μm. Otros inconvenientes son que las tensiones en el sustrato de silicio sólo pueden medirse a través de capas transparentes y que el desplazamiento Raman registrado es una convolución de desplazamientos debidos a diferentes componentes de tensión. Las dos técnicas de microscopía electrónica de transmisión tienen una resolución espacial mucho mayor (escala de nm), pero sufren el inconveniente de que son destructivas y requieren una preparación elaborada de las muestras. Además, la preparación de las láminas finas adecuadas para la inspección por TEM provoca la relajación de las tensiones en la dirección perpendicular al plano de la imagen, lo que debe tenerse en cuenta para la interpretación de los resultados. No obstante, del uso combinado de estas tres técnicas se puede deducir información útil y complementaria sobre las distribuciones de las deformaciones. Esto abre interesantes perspectivas en la correlación entre la tensión local y las propiedades eléctricas de los dispositivos microelectrónicos.