Le possibilità e i limiti della spettroscopia micro Raman (μRS), della diffrazione elettronica a fascio convergente (CBED) e dell’electron diffraction contrast imaging (EDCI) per lo studio dei campi di stress localizzati nei substrati di semiconduttori sono discussi e illustrati con risultati ottenuti su strutture di isolamento locale nel silicio. μRS ha il vantaggio di essere non distruttivo ma ha una risoluzione spaziale che è limitata dalla lunghezza d’onda del laser e che è tipicamente dell’ordine di 1 μm. Altri svantaggi sono che le sollecitazioni nel substrato di silicio possono essere misurate solo attraverso strati trasparenti e che lo spostamento Raman registrato è una convoluzione di spostamenti dovuti a diverse componenti di stress. Le due tecniche di microscopia elettronica a trasmissione hanno una risoluzione spaziale molto più alta (scala nm) ma soffrono dell’inconveniente che sono distruttive e richiedono una preparazione elaborata dei campioni. Inoltre, la preparazione delle lamine sottili adatte all’ispezione TEM porta al rilassamento delle deformazioni nella direzione perpendicolare al piano dell’immagine che deve essere presa in considerazione per l’interpretazione dei risultati. Tuttavia, informazioni utili e complementari sulle distribuzioni di deformazione possono essere dedotte dall’uso combinato di queste tre tecniche. Questo apre interessanti prospettive nella correlazione tra lo stress locale e le proprietà elettriche dei dispositivi microelettronici.