Keskustellaan mikro-Raman-spektroskopian (μRS), konvergenttisuihkuelektronidiffraktiokuvantamisen (CBED, convergent beam electron diffraction) ja elektronidiffraktiokontrastikuvantamisen (EDCI, electron diffraction contrast imaging) mahdollisuuksista ja rajoitteista paikallisen jännityskentän tutkimisessa puolijohdealustoissa, ja niitä havainnollistetaan pii:ssä olevissa paikallisissa isolointirakenteissa saatujen tulosten avulla. μRS:n etuna on, että se ei ole tuhoava, mutta sen spatiaalinen erotuskyky rajoittuu laserin aallonpituuteen ja on tyypillisesti 1 μm:n luokkaa. Muita haittoja ovat se, että piialustan jännityksiä voidaan mitata vain läpinäkyvien kerrosten läpi ja se, että tallennettu Raman-siirtymä on eri jännityskomponenttien aiheuttamien siirtymien konvoluutio. Näillä kahdella läpäisyelektronimikroskopiatekniikalla on paljon suurempi spatiaalinen resoluutio (nm:n asteikolla), mutta niiden haittapuolena on, että ne ovat tuhoavia ja vaativat monimutkaista näytteen valmistelua. Lisäksi TEM-tarkastukseen soveltuvien ohuiden kalvojen valmistaminen johtaa jännitysten relaksaatioon kuvatasoa vastaan kohtisuorassa suunnassa, mikä on otettava huomioon tulosten tulkinnassa. Näiden kolmen tekniikan yhdistelmäkäytöstä voidaan kuitenkin saada hyödyllistä, toisiaan täydentävää tietoa jännitysjakaumista. Tämä avaa mielenkiintoisia näkymiä mikroelektroniikkalaitteiden paikallisen jännityksen ja sähköisten ominaisuuksien väliseen korrelaatioon.